4N65 دیتاشیت

4N65

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 4N65
حجم فایل 61.436 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت 4N65

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

4N65 10 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOODWORK 4N65
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 38W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 425pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 5.8pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.1Ω@10V,2A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: GOODWORK
  • Part id: 880074

محصولات مشابه